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全球 TMT 日报 · 每日复盘周四 · 260625
存储超级周期再确认:A股半导体与算力硬件领涨,KOSPI暴涨6%、日经创新高,软件与小微盘走弱
仅为公开信息整理,仅供学习参考,不涉及任何投资建议
日报日期:2026年6月25日(Asia/Shanghai,UTC+8)
今日关键词半导体 · 存储/HBM · 美光 · SK海力士 · 光通信 · AI电源 · 数据中心
中国A股
行情(6月25日收盘)
▪创业板指 +2.84%、科创综指 +2.11%、深证成指 +1.82%、沪深300 +1.56%、中证500 +1.08%、万得全A +0.82%、中证1000 +0.37%、上证指数 +0.23%;北证50 −1.41%、中证2000 −0.88%、万得微盘股指数 −2.39% 逆势走弱;沪深两市全天涨 1231 家、跌 4225 家。
指数普涨但市场宽度偏弱(跌4225 vs 涨1231),延续"大盘成长龙头领涨、小微盘杀跌"的分化结构。创业板指 +2.84%、科创综指 +2.11% 领涨,半导体与AI硬件是核心驱动——隔夜美光盘后炸裂财报点燃全球存储与算力情绪,本土资金顺势回补硬科技;而前期活跃的小微盘与题材股资金大幅撤出,赚钱效应高度集中于大盘龙头。
板块(按主力净流入 / 流出额取前三,涨跌幅排序)
▪半导体 +4.17%(净流入 153.73亿):受美光超预期财报与存储涨价主线带动,全市场净流入第二,国产替代与算力链共振。
▪硬件设备 +3.20%(净流入 318.03亿):AI算力硬件(服务器 / PCB / 光模块 / 液冷)净流入居全市场首位,光通信与算力链景气延续。
▪非银金融 +2.62%(净流入 80.61亿):券商等大金融受市场情绪回暖与成交放大带动获资金承接。
▪银行 −0.86%(净流出 10.80亿):高股息防御板块资金流出最多,向科技成长切换。
▪公用事业Ⅱ −1.77%(净流出 9.12亿):防御类资金撤离,风偏向成长倾斜。
▪软件服务 −1.87%(净流出 8.95亿):软件应用走弱、资金流出,与硬件强形成"重硬轻软"分化。
资金明显从银行 / 公用事业等防御板块撤出、涌入半导体与AI算力硬件,呈"硬件强、软件弱"的结构特征;但涨1231 / 跌4225、微盘 −2.39% 显示分化加剧、普涨欠缺。
两融余额:截止 6月24日,沪深两融余额约 3.02万亿元,环比增约 +142亿元;6月25日数据 T+1 待披露,杠杆资金维持高位。
亚太市场 ]article_adlist-->行情(6月25日收盘)
▪韩国KOSPI200 +6.17%(收1454.15)、日经225 +4.61%(收72,366.34);亚太普涨、韩日同步大涨,由美光炸裂财报点燃的存储/半导体超级行情主导。
▪韩国:存储价值链全线暴涨领衔大盘——SK海力士、三星电子 在美光超预期业绩与SK海力士6月24日提交美国ADR上市计划的双重催化下大幅走强,机构同步上调存储盈利与目标价(详见研报段);本土与外资在存储超级周期叙事下集中加仓半导体权重股。
▪日本:日经创新高、半导体设备与存储链跟随美光read-across走强——东京电子、Advantest、Lasertec 等前道设备与测试龙头领涨,叠加铠侠(Kioxia)受海力士持股增值与NAND景气带动;日银鹰派委员田村呼吁稳步加息,汇率端略有扰动但未改风偏。
亚太整体:美光财报成为存储超级周期的确认信号,韩日半导体价值链同步暴涨、KOSPI/日经齐创阶段新高,存储(DRAM/NAND/HBM)与前道设备是核心驱动。
美股 ]article_adlist-->行情(6月25日,截止至发稿)
▪ 半导体领涨:半导体ETF(SOXX)+5.13%、纳指100(QQQ)+1.70%、道指(DIA)+0.65%、标普500(SPY)+0.55%;行业分化——工业(IYJ)+1.67%、医疗(IYH)+1.11% 走强,软件(IGV)−0.66%、消费可选(IYC)−0.53% 走弱;10年期美债(10YRNC)−0.22%。
受美光炸裂财报点燃,半导体板块大幅领涨、带动纳指走强,资金集中在存储/半导体设备/AI芯片链;软件与可选消费相对走弱,呈"半导体强、软件弱"的结构。市场聚焦当晚核心PCE。
活跃股票(6月25日,截止至发稿)
▪美光 MU(+19.16%):盘后炸裂财报兑现——营收/EPS双超预期、Q4指引营收约$50亿且约40%营收纳入SCA长协、毛利率指引约86%,存储超级周期确认,领涨整个半导体板块。
▪康宁 GLW(+9.75%):光纤与玻璃基板需求受益,叠加其CPO玻璃桥连接技术讨论度提升,延续光通信/先进封装链强势。
▪西部数据 WDC(+9.77%):存储/HDD随美光业绩与DRAM/NAND涨价共振,存储景气外溢。
▪高通 QCOM(+8.31%):随半导体风偏回暖反弹,投资者日后估值修复。
▪应用材料 AMAT(+6.92%):半导体设备龙头受WFE资本开支上行与存储扩产预期带动,前期回调后修复。
▪戴尔 DELL(−8.41%):AI服务器ODM逆势大跌,前期因AI订单超预期大涨后获利了结,叠加市场对AI服务器毛利率摊薄(毛利率降至约18%)的担忧,与半导体硬件的强势形成分化。
美股整体:美光财报点燃存储与半导体,资金集中在存储(美光、西数)、设备(应材)、光通信(康宁)与AI芯片链;AI服务器ODM(戴尔)因利润率担忧逆势走低,呈"芯片强、服务器分化"的格局。
新闻与观点 ]article_adlist-->▪美光炸裂财报点燃存储情绪:美光最新季营收约 414.6亿美元(远超约358.4亿预期)、Non-GAAP EPS约 25.11美元(vs约20.78一致预期),Q4指引营收约 490–510亿美元、EPS约30–32美元再超预期逾14%;管理层指约 40%营收 将纳入长期供货协议(SCA),Q4毛利率指引升至约 86%,盘后一度涨约16%(来源:智通财经、花旗交易台美股晨报)。
▪SK海力士拟赴美ADR上市:海力士于6月24日提交ADR上市计划,机构据此上调估值——HSBC上调目标价并给予ADR约 20% 估值溢价;该消息与美光财报共同点燃韩股存储链(来源:花旗交易台、HSBC研报)。
▪台股基板与存储共振:台积电TAIEX涨0.46%至46,255点;ABF载板受"Agentic AI需求向CPU扩散、2H26–2028基板需求稳健"提振,欣兴/景硕/南亚电路齐涨停;存储侧南亚科 +7.5%、华邦 +7.1% riding美光,大立光 +5.4%(拟于北台湾购地、或用于CPO扩产)(来源:花旗交易台泛亚EOD)。
▪光纤涨价提速:据行业数据,G.652.D单模光纤自2025年初不足20元/芯公里升至2026年3月约 83.4元(累计涨逾 400%)、G.657.A2型累计涨约 650%;亚马逊6月8日与康宁签订数十亿美元长期光纤采购协议;长飞6月16日联合中国电信完成全球首项空芯光纤单波 1.2Tb/s 超长单跨无中继波分传输纪录(来源:中国经营报、OFweek)。
▪磷化铟/EML持续紧缺:海外龙头出于战略考量锁定上游EML产能、EML激光器交付周期排至2027年之后,渠道库存天数升至约60天;国产侧源杰科技 100G EML量产、200G EML验证中,长光华芯等加速导入头部客户(来源:财联社、东方财富)。
▪康宁玻璃桥CPO连接技术:康宁以玻璃波导扩束方案,使外部连接器可用与MMC/MPO同尺寸的TMT插芯实现PIC边缘对准、省去定制小孔径FA,自OFC2025发布以来与GF等硅光厂合作、ECTC持续降损耗;其在FAU/MMC/插芯/玻璃基板/抗弯保偏光纤全面布局,该方案需 2×24芯 精细FA加工,反利好国内FAU厂商承接(天孚通信、光库科技、仕佳光子、太辰光等)(来源:康宁OFC2025/ECTC技术披露)。
▪国内电容首次涨价:江海股份6月24日晚向下游发提价函,对铝电解电容、薄膜电容、超级电容整体提价约 5%–10%(原材料涨价+供需偏紧,日本6月17日已先涨);Rubin服务器单柜四大电容(牛角+薄膜+MLPC+超级电容)价值量合计为MLCC的 2倍以上,电容跻身AI涨价环节(来源:江海股份涨价函)。
▪7月电子布提价扩大:7628电子布7月大厂提价幅度 不低于1元(高于上月0.7元);巨石淮安一期5万吨电子纱满产、7月或为全年E布产能高点但仍 0库存,8月仅建滔约9600万米新增、市场E布月度缺口仍约 3000–4000万米(来源:电子布厂商口径)。
▪先进封测进入兑现期:长电科技拟投 78亿元 在上海临港(维权)建高端先进封测厂(注册资本约40亿、一期2028H2完成),面向AI算力/数据中心/光通信;长川科技(维权)业绩预告超预期(数字/存储/SoC/GPU测试机多线放量),CoWoS-L 成为2026–2027升级主线(来源:长电科技公告、长川科技业绩预告)。
研报总结归纳
1花旗(Citi)|美光:SCA长协重塑存储久期,维持买入(26/06/25)
花旗在美光业绩后与管理层电话会纪要中,核心强调存储正从"周期波动"转向"久期与可预测性"。美光指引下季营收约 50亿美元、并预期紧缺延续至 2027年之后,DRAM与NAND供需双紧。最关键的结构性变化是 SCA(战略供货协议)——管理层签下16份SCA、预计未来约 40%营收 纳入长协(对应DRAM约 20%、NAND约 33% 的bit volume),ceiling价按CQ2市价设定、floor价高于上轮周期峰值,为盈利提供久期与可预测性;Q4毛利率指引升至约 86%。花旗维持买入。
▪ 估值与盈利:花旗给出目标区间对应约 10x C27E EPS,因长协占比上升、合约bit对周期bit的结构改善,上调FY26/27 EPS预期约 19%/20%;判断2027年EPS仍有上行,主要来自HBM与结构性供需失衡。
▪ HBM与定价:HBM明年定价仍在谈判中,毛利率与commodity DRAM之间存在差距;LP6等高端产品按品类单独调价,premium结构有望延续。
2汇丰(HSBC)|SK海力士:ADR上市+HBM涨价,目标价上调(26/06/25)
汇丰将SK海力士定为全球存储覆盖的首选,核心逻辑是 2Q强劲 + ADR上市催化。受DRAM/NAND ASP环比 +40%/+50%、321层NAND升级带动margin改善、以及2% 韩元贬值三重驱动,预计2Q26营业利润约 KRW66万亿(环比+76%、同比 +618%),OP margin由4Q25约30%升至约 65%。公司6月24日提交ADR上市文件,汇丰认为应在估值中反映——对标美光过去13年对海力士平均约35%溢价,给予约 20% 估值溢价(P/B由2.8x升至 3.4x),并将目标价上调至 KRW400万(自290万),维持买入。
▪ HBM驱动2H与2027:DRAM/NAND续涨推动3Q OP环比 +28% 至约KRW84万亿;HBM在50–60% 市占下涨价(HBM3E 12Hi提价、HBM4溢价40–50%),假设2027年ASP同比 +35%,2027 OP约 KRW452万亿(+59%)。
▪ context memory(CMS)与eSSD需求带动NAND价格维持高位,agentic AI对通用服务器与SO-CAMM2的拉动支撑DRAM ASP与margin扩张。
汇丰:HBM市场规模——2025–28e CAGR约70%、2028e达约1,960亿美元(来源:HSBC)
汇丰:HBM涨价驱动海力士HBM销售较前值上修约32–42%(2027e/2028e)(来源:HSBC)
汇丰:HBM市场估算——bit出货2028e约59bn Gb、混合ASP升至3.3美元/Gb、市场规模约1,960亿美元(来源:HSBC)
3野村(Nomura)|全球存储:3Q涨价大幅上修,2027 OP上调(26/06/24)
野村判断2Q26存储厂商盈利将出现"价格分化"(不同供应商/客户/应用涨价幅度不一),但更重要的是对 3Q与2027的大幅上修。维持三星目标价 KRW67万、上调海力士目标价至 KRW470万,反映2H26及以后更强的存储盈利展望。三星2Q因奖金计提(计提率10.5%、拨备约KRW19万亿低于此前24万亿假设),2Q26 OP预测由KRW67万亿上修至约 KRW76万亿;海力士2Q OP或低于此前估计约10%,但因处置铠侠股权与CB投资估值收益(约KRW60万亿),净利润将显著超市场预期。
▪ 3Q价格上修:将commodity DRAM/NAND环比涨价上修至 +24%/+25%(此前约+5%/+25%),主因消费类补涨、CSP的DDR5/LPDDR5提价及HBM4高ASP占比上升;2H26出货增速有望超1H。
▪ 2027 OP上调:在更高价格假设与更温和的韩元升值预期下,上调2027 OP——三星/海力士分别约 KRW598/468万亿(较5月估计 +38%/+19%);判断HBM盈利2027年追平commodity DRAM。
4花旗交易台(Citi · TMT/泛亚专业销售点评)|美光点燃风偏、亚太存储与基板暴涨(26/06/25)
本条为花旗交易台专业销售(Pan Asia EOD + NY Open)点评,rephrase市场观点与自家研究分析师观点,一篇虽涉多市场/多股仍作一份归纳。
花旗交易台综述当日盘面:美光业绩"blowout"(营收 $41.46bn vs 估 $35.84bn、EPS $25.11 vs 一致 $20.78)清除了投资者设的高门槛,提振全球风险情绪、亚洲股领涨——KOSPI收涨约5.4%、日经约+4.6%(后者亦受SK海力士拟ADR上市提振)、纳指期货隔夜约 +2%;花旗研究因合约bit占比上升上调美光FY26/27 EPS约 19%/20%。
▪ 台股结构:TAIEX +0.46% 至46,255,基板(欣兴/景硕/南亚电路)受Agentic AI向CPU扩散、ABF需求2H26–2028稳健而齐 涨停;存储(南亚科+7.5%、华邦+7.1%)riding美光;大立光 +5.4%(拟购地或用于CPO扩产)。
▪ 宏观与利率:聚焦美东08:30核心PCE(花旗预期约 +0.37% MoM、supercore约+0.57%),或强化鹰派FOMC定价;澳洲失业率降至4.36%、日银田村偏鹰;油价续跌,USDJPY约161.85逼近多年高点、关注干预风险。
5里昂(CLSA)|博通:定制ASIC路线图清晰,维持跑赢(26/06/25)
里昂认为市场低估了博通的custom ASIC可见度。尽管股价因升级预期透支与"联发科切入谷歌"的猜测而回调,里昂判断博通已为其定制ASIC路线图注入多年清晰度——更长久期的订单、为ASIC锁定的融资安排,以及对当前FY27约 $100亿 AI半导体收入指引可能 30% 的上行空间;该上行与台积电产能紧张相吻合、可信度较高。维持跑赢评级。
▪ 盈利与估值:上调盈利预测(FY26/27/28 EPS分别上修约 13.6%/16.9%/14.7%),FY27营收预期约 $1,850亿、净利约 $844亿;目标价由605美元微调至 600美元,反映估值与升级预期的平衡。
▪ 结构判断:定制ASIC与网络(scale-up/scale-out)是核心驱动,回应市场对联发科在谷歌渗透的担忧——博通的长约与融资安排提供了路线图的确定性。
6高盛(GS)|台达电:AI电源单瓦价值量上行,目标价大幅上调(26/06/05)
高盛重申对台达电的买入,核心是 AI电源单瓦价值量(ASP/watt)随功率密度持续上行。研报BOM成本分析显示,AI PSU的BOM成本/瓦随功率密度提升而上行(5.5kW→12kW,BOM/瓦 +43%),意味着台达电单瓦ASP在未来数年走高;预计台达整体AI电源收入(AC/DC PSU + DC/DC + 电源机柜)2025–28E CAGR约 210%,组件级产品毛利率维持 50–60%+。高盛将12个月目标价由NT$2,420大幅上调至 NT$4,500(隐含约 96% 上行)。
▪ 行业ASP:预计整体AI PSU行业ASP/瓦 2025–28E CAGR约40%,半导体与被动元件持续升级驱动;新规格 18.3kW PSU 自2026年末快速放量,BOM/瓦与5.5kW相近但高功率要求支撑高ASP/GM。
▪ 电源机柜(±400V/800V)自2026年末起贡献,带来PSU 100% 冗余等增量;据此上调台达电2027/28E营收与EPS预期。

高盛:台达电AI电源收入增长快于整体AI服务器电源市场——总AI服务器电源TAM由2025年约39亿美元增至2028E约880亿美元、台达收入约477亿、份额升至约54%(来源:Goldman Sachs)
7摩根大通(JPM)|英飞凌:AI电力驱动功率半导体上行(26/05/07)
摩根大通维持英飞凌增持,判断FY26指引上调与9月季出货/利润拐点将带来 FY27/FY28显著上修。公司在电话会指出订单全面改善、backlog增至 €250亿(环比+20%、同比+25%),且Sept季营收/利润将大幅inflect、量价齐升;管理层亦指Dec季季节性好于往常。摩根大通上调FY26/27/28 EPS预期 8.9%/8.2%/14.8%,目标价由€48上调至 €74。
▪ AI电力卡位:英飞凌在AI电力与功率半导体(MOSFET)为领先供应商,AI电力需求带动MOSFET涨价并外溢至非AI市场、利好margin;若汽车终端(约50%收入)下半年随基数走低而复苏,升级或延续至FY27。
▪ 盈利结构:FY26E营收约 €161.9亿、调整后EBIT margin约 20.0%,FY28E EBIT margin升至约 28.5%;估值基于22x FY28 EPS(10年区间15.6–23.0x)。
8杰富瑞(Jefferies)|中国半导体设备:贸易逆差驱动WFE资本开支(26/06/24)
杰富瑞跟踪中国5月SPE/WFE进口数据,判断短期回落"窄基化"、不改全年方向。中国5月SPE/WFE进口同比 −9%/−12%,但测试/封装 +25%/+19% 强劲;WFE下滑几乎全由刻蚀 −32% 驱动(对应自日本/马来进口 −28%/−58%),沉积/离子注入仍 +12%/+21%、光刻基本持平。判断2026全年WFE capex为低至中个位数(LSD–MSD)增长,存储capex为2H26关键驱动。
▪ 先进封装为强增长区:封装进口YTD +8%、为唯一正增长品类,且不受工具限制——华为"Tau"scaling law基于先进封装,预计未来12–24个月强增长。
▪ 弱势归因:YTD WFE进口 −12%(光刻/刻蚀 −24%/−18%),主因CXMT在去年大幅拉货后放缓、先进逻辑去年pull-in及关键工具灰市超长交期;维持2H26需求回暖判断。
9野村(Nomura)|中国AI如何融资:国家资本主导(26/06/24)
野村剖析中美AI资本开支的结构差异:美国AI capex由hyperscaler私人部门主导,而中国以 国家资本 主导、贯穿中央与地方。"大基金"一/二/三期注册资本分别约 RMB1,390/2,040亿 余亿元,聚焦芯片设计与制造等最受约束环节;2025年12月成立的国家创投引导基金(初始 RMB1,000亿、20年期)由超长期特别国债支持,定向集成电路、AI、量子等前沿。
▪ 财政转向AI:2026年第二批"两重"专项债 RMB2,170亿 首次将AI明确列为重点;6月9日彭博报道中国拟以超长期特别国债支持 RMB2.0万亿元 五年全国数据中心网络计划(核心技术国产化 ≥80%、含华为AI芯片、由三大电信运营),叠加配套电网投资总规模或达 RMB5.0万亿元。
▪ 政策融资工具:为遏制投资下滑,"新政策性金融工具"2025年9月推出(初始额度 RMB5,000亿、本年另增 RMB8,000亿),由政策性银行向战略产业注入权益融资,AI为重点投向之一。
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封面图片: AIGC生成

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